Справочник MOSFET. STK630F

 

STK630F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK630F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STK630F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  auk
 stk630f.pdf pdf_icon

STK630F

STK630FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETFeatures Avalanche rugged technology. Low input capacitance. Low leakage current : 10 (Max.) @ VDS=200V. Low RDS(on) : 0.30(Typ.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK630F STK630 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.60~3.00 1.07 Min. 0.90 Max.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.