Справочник MOSFET. STK630F

 

STK630F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK630F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для STK630F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK630F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  auk
 stk630f.pdf pdf_icon

STK630F

STK630FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETFeatures Avalanche rugged technology. Low input capacitance. Low leakage current : 10 (Max.) @ VDS=200V. Low RDS(on) : 0.30(Typ.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK630F STK630 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.60~3.00 1.07 Min. 0.90 Max.

Другие MOSFET... NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , IRFB31N20D , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 .

History: IRFI710A | FQP3N30 | SVSP20N60SD2TR | FQP34N20 | STM8401 | APT40M75JN | BUK7514-30

 

 
Back to Top

 


 
.