STK630F - описание и поиск аналогов

 

STK630F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STK630F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для STK630F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK630F даташит

 ..1. Size:481K  auk
 stk630f.pdf pdf_icon

STK630F

STK630F Semiconductor Semiconductor Power MOSFET Features Avalanche rugged technology. Low input capacitance. Low leakage current 10 (Max.) @ VDS=200V. Low RDS(on) 0.30 (Typ.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK630F STK630 TO-220F-3L Outline Dimensions unit mm 3.05 3.35 9.80 10.20 2.60 3.00 1.07 Min. 0.90 Max.

Другие MOSFET... NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , IRF2807 , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 .

History: SM6128NSKP | PMF250XN | 2N7002G-AE2-R | STD24N06LT4G | MDV5524URH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.