TSP8N60M Todos los transistores

 

TSP8N60M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSP8N60M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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TSP8N60M datasheet

 ..1. Size:1268K  truesemi
 tsp8n60m tsf8n60m.pdf pdf_icon

TSP8N60M

TSP8N60M/TSF8N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 7.5A,600V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

 8.1. Size:1169K  truesemi
 tsp8n65m tsf8n65m.pdf pdf_icon

TSP8N60M

TSP8N65M/TSF8N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 7.5A,650V,Max.RDS(on)=1.50 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

Otros transistores... PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , IRFZ24N , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F .

 

 

 

 

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