Справочник MOSFET. TSP8N60M

 

TSP8N60M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSP8N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TSP8N60M

 

 

TSP8N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1268K  truesemi
 tsp8n60m tsf8n60m.pdf

TSP8N60M TSP8N60M

TSP8N60M/TSF8N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,600V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 8.1. Size:1169K  truesemi
 tsp8n65m tsf8n65m.pdf

TSP8N60M TSP8N60M

TSP8N65M/TSF8N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,650V,Max.RDS(on)=1.50 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top