Справочник MOSFET. TSP8N60M

 

TSP8N60M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP8N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP8N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1268K  truesemi
 tsp8n60m tsf8n60m.pdf pdf_icon

TSP8N60M

TSP8N60M/TSF8N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,600V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 8.1. Size:1169K  truesemi
 tsp8n65m tsf8n65m.pdf pdf_icon

TSP8N60M

TSP8N65M/TSF8N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,650V,Max.RDS(on)=1.50 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.