STK0460F Todos los transistores

 

STK0460F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK0460F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STK0460F datasheet

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STK0460F

STK0460F Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=7.5pF(Typ.) Low gate charge Qg=16nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=2.5 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0460F STK0460 TO-220F-3L Outline Dimensions unit mm 3.05 3.35 9.8

Otros transistores... QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , 8N60 , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D .

History: WMM13N50C4 | FCPF150N65F

 

 

 

 

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