STK0460F Todos los transistores

 

STK0460F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK0460F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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STK0460F Datasheet (PDF)

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STK0460F

STK0460FSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=7.5pF(Typ.) Low gate charge : Qg=16nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=2.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0460F STK0460 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.8

Otros transistores... QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , K2611 , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D .

History: HFH12N60 | 2N6768 | SM2225NSQG

 

 
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