STK0460F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STK0460F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STK0460F Datasheet (PDF)
stk0460f.pdf

STK0460FSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=7.5pF(Typ.) Low gate charge : Qg=16nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=2.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0460F STK0460 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.8
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SVT078R0NS | JCS8N65R | WMM14N60C4 | RQJ0204XGDQA | HGK045N15S | STK830D | IXFP18N65X2
History: SVT078R0NS | JCS8N65R | WMM14N60C4 | RQJ0204XGDQA | HGK045N15S | STK830D | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg