2SK641 Todos los transistores

 

2SK641 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK641
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2SK641 Datasheet (PDF)

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2SK641

 ..2. Size:237K  inchange semiconductor
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2SK641

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK641DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c

 9.1. Size:38K  hitachi
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2SK641

 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
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2SK641

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

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History: IXFT21N50F | CED2303 | SUN05A50ZD | APT50M85B2VFRG | HSU80N03 | IXFT14N80P | CHM02N6GPAGP

 

 
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