2SK641 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK641  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK641

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK641 даташит

 ..1. Size:49K  hitachi
 2sk641 2sk642.pdf pdf_icon

2SK641

 ..2. Size:237K  inchange semiconductor
 2sk641.pdf pdf_icon

2SK641

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK641 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor c

 9.1. Size:38K  hitachi
 2sk646.pdf pdf_icon

2SK641

 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
 2sk643.pdf pdf_icon

2SK641

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FMH23N50E, FMV23N50E, FMR23N50E, FQP630, SVF2N60M, SVF2N60F, SVF2N60T, SVF2N60D, IRFZ46N, 2SK642, HBS170, HFF11N60S, HFF2N60, HFF5N60, HFF630, HFF640, HFF7N60