HBS170 Todos los transistores

 

HBS170 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBS170

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 17 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HBS170

 

HBS170 Datasheet (PDF)

1.1. hbs170.pdf Size:403K _shantou-huashan

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 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBS170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These products have been designed to minimize on-state resistance TO-92 While provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 500mA DC. These products are particularly suited for low voltage,

Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 
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