HBS170 - описание и поиск аналогов

 

HBS170. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBS170

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для HBS170

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HBS170 даташит

 ..1. Size:403K  shantou-huashan
 hbs170.pdf pdf_icon

HBS170

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBS170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These products have been designed to minimize on-state resistance TO-92 While provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 500mA DC. These products are particularly suited for low voltage,

Другие MOSFET... FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , IRLB3034 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 .

History: SM4050PSV | 2N90G-TND-R | 2SK2223-01 | WMK100N07TS | SI9933ADY | WMM10N60C4 | 2SK4094

 

 

 

 

↑ Back to Top
.