HFF11N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFF11N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 32.1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 10.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 9.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFF11N60S
HFF11N60S Datasheet (PDF)
1.1. hff11n60s.pdf 
Size:711K _shantou-huashan
HFF11N60S Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220F They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performa
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
