HFF11N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFF11N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 32.1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 10.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 9.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F
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HFF11N60S Datasheet (PDF)
1.1. hff11n60s.pdf 
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HFF11N60S Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220F They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performa
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