HFF11N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFF11N60S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 32.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9.1 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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HFF11N60S Datasheet (PDF)

1.1. hff11n60s.pdf Size:711K _shantou-huashan

HFF11N60S Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220F They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performa

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