HFF11N60S - описание и поиск аналогов

 

HFF11N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFF11N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HFF11N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF11N60S даташит

 ..1. Size:711K  shantou-huashan
 hff11n60s.pdf pdf_icon

HFF11N60S

HFF11N60S Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220F They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performa

Другие MOSFET... FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , IRF9640 , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 .

History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.