HFF11N60S - аналоги и даташиты транзистора

 

HFF11N60S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFF11N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFF11N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF11N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  shantou-huashan
 hff11n60s.pdf pdf_icon

HFF11N60S

HFF11N60S Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220FThey are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performa

Другие MOSFET... FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , IRF9640 , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 .

History: ISL9N310AD3 | DG2N65-251 | DM8N65C

 

 
Back to Top

 


 
.