HFF2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFF2N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 23 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFF2N60

HFF2N60 Datasheet (PDF)

1.1. hff2n60.pdf Size:231K _shantou-huashan

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF2N60 █ APPLICATIONSL TO-220F High-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~150℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipation（Tc=25℃）

Otros transistores... SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , 2SK3878 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: