HFF2N60 Todos los transistores

 

HFF2N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFF2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HFF2N60 datasheet

 ..1. Size:231K  shantou-huashan
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HFF2N60

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF2N60 APPLICATIONSL TO-220F High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipation Tc=25

Otros transistores... SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , IRFB7545 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 .

 

 
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