Справочник MOSFET. HFF2N60

 

HFF2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFF2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFF2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  shantou-huashan
 hff2n60.pdf pdf_icon

HFF2N60

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF2N60 APPLICATIONSL TO-220F High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power DissipationTc=25

Другие MOSFET... SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , 8N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 .

 

 
Back to Top

 


 
.