HFF630 Todos los transistores

 

HFF630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFF630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HFF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  shantou-huashan
 hff630.pdf pdf_icon

HFF630

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF630 APPLICATIONSL TO-220F High Voltage High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 1TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power Dissipatio

Otros transistores... SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , IRF9640 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 .

History: FDY1002PZ

 

 
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