HFF630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFF630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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HFF630 Datasheet (PDF)

1.1. hff630.pdf Size:229K _shantou-huashan

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF630 █ APPLICATIONSL TO-220F High Voltage High-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） 1 Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~150℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipatio

Otros transistores... SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , FDS4435 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: