HFF630 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFF630 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFF630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFF630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  shantou-huashan
 hff630.pdf pdf_icon

HFF630

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF630 APPLICATIONSL TO-220F High Voltage High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 1TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power Dissipatio

Другие MOSFET... SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , K2611 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 .

History: DG2N65-220F

 

 
Back to Top

 


 
.