HFF7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFF7N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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HFF7N60 Datasheet (PDF)

1.1. hff7n60.pdf Size:644K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFF7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220F They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

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Liste

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