HFF7N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFF7N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFF7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFF7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  shantou-huashan
 hff7n60.pdf pdf_icon

HFF7N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFF7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220FThey are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

Другие MOSFET... 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , MMD60R360PRH , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 .

History: FS10KM-9 | 2SK2171 | IRFI9634G | FTP06N60C

 

 
Back to Top

 


 
.