HFF7N60 - описание и поиск аналогов

 

HFF7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFF7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HFF7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF7N60 даташит

 ..1. Size:644K  shantou-huashan
 hff7n60.pdf pdf_icon

HFF7N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFF7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220F They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

Другие MOSFET... 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , RU7088R , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 .

History: BRCS139WS | STD30NF06T4 | 2SK2223-01 | SI2307A | STD4NK50Z | 7N80G-TA3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.