HFH12N60 Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

HFH12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 85 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 182 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.65 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH12N60

 

HFH12N60 Datasheet (PDF)

1.1. hfh12n60.pdf Size:608K _shantou-huashan

HFH12N60
HFH12N60

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH12N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Otros transistores... 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , IRF630A , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 .

Back to Top

 


HFH12N60
  HFH12N60
  HFH12N60
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: BUZ171 | BUZ12A | BUZ12 | BUZ11AL | BUZ111SL | BUZ111S | BUZ110S | BUZ10S2 | BUZ10L | BUZ104S | BUZ104L | BUZ104 | BUZ103SL | BUZ103S-4 | BUZ103 |

Introduzca al menos 1 números o letras

 

Back to Top