HFH12N60 Todos los transistores

 

HFH12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 85 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 182 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.65 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH12N60

 

HFH12N60 Datasheet (PDF)

1.1. hfh12n60.pdf Size:608K _shantou-huashan

HFH12N60
HFH12N60

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH12N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


HFH12N60
  HFH12N60
  HFH12N60
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM2306AE | GSM2306A | GSM2304S | GSM2304AS | GSM2304A | GSM2304 | GSM2303A | GSM2303 | GSM2302S | GSM2302AS | GSM2301S | GSM2301AS | GSM2301A | GSM2301 | GSM2014 |

 

 

 
Back to Top