HFH12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFH12N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 85 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 182 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
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HFH12N60 Datasheet (PDF)
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH12N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc
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