HFH12N60 Todos los transistores

 

HFH12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 85 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 182 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.65 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH12N60

 

HFH12N60 Datasheet (PDF)

1.1. hfh12n60.pdf Size:608K _shantou-huashan

HFH12N60
HFH12N60

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH12N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 
Back to Top

 


HFH12N60
  HFH12N60
  HFH12N60
  HFH12N60
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: RJL6013DPP | RJL6012DPP | RJL5014DPP | RJL5013DPP | RJL5012DPP | RJK6036DP3-A0 | RJK6032DPH-E0 | RJK6025DPH-E0 | RJK6024DP3-A0 | RJK6013DPP-E0 | RJK6002DPH-E0 | RJK6002DJE | RJK5032DPH-E0 | RJK5032DPD | RJK5014DPP-E0 |

 

 

 
Back to Top