HFH12N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFH12N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFH12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HFH12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  shantou-huashan
 hfh12n60.pdf pdf_icon

HFH12N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH12N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Другие MOSFET... 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , MMIS60R580P , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 .

History: QM3006D | DM8N65C | DG2N65-251

 

 
Back to Top

 


 
.