HFH20N50 Todos los transistores

 

HFH20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFH20N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de HFH20N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFH20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  shantou-huashan
 hfh20n50.pdf pdf_icon

HFH20N50

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH20N50 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Otros transistores... HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HY1906P , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 , HFP30N06 .

History: HM1060E

 

 
Back to Top

 


 
.