HFH20N50 Todos los transistores

 

HFH20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH20N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 210 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH20N50

 

HFH20N50 Datasheet (PDF)

1.1. hfh20n50.pdf Size:630K _shantou-huashan

HFH20N50
HFH20N50

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH20N50 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 
Back to Top

 


HFH20N50
  HFH20N50
  HFH20N50
  HFH20N50
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SIZ710DT | SIZ704DT | SIZ702DT | SIZ342DT | SIZ340DT | SIZ300DT | SIX3439K | SISS40DN | SISS23DN | SISA18DN | SISA18ADN | SISA14DN | SISA12DN | SISA12ADN | SISA10DN |

 

 

 
Back to Top