HFH20N50 Todos los transistores

 

HFH20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH20N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 210 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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HFH20N50 Datasheet (PDF)

0.1. hfh20n50.pdf Size:630K _shantou-huashan

HFH20N50
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH20N50 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

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