HFH20N50 Todos los transistores

 

HFH20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH20N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 210 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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HFH20N50 Datasheet (PDF)

1.1. hfh20n50.pdf Size:630K _shantou-huashan

HFH20N50
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 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH20N50 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Otros transistores... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

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