Справочник MOSFET. HFH20N50

 

HFH20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFH20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HFH20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  shantou-huashan
 hfh20n50.pdf pdf_icon

HFH20N50

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH20N50 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Другие MOSFET... HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HY1906P , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 , HFP30N06 .

History: H8N60P | WMB115N15LG4

 

 
Back to Top

 


 
.