HFH20N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFH20N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HFH20N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH20N50 даташит

 ..1. Size:630K  shantou-huashan
 hfh20n50.pdf pdf_icon

HFH20N50

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH20N50 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Другие IGBT... HBS170, HFF11N60S, HFF2N60, HFF5N60, HFF630, HFF640, HFF7N60, HFH12N60, AOD4184A, HFH7N60, HFH9N90, HFP13N10, HFP13N50, HFP15N06, HFP17N10, HFP2N60, HFP30N06