HFH7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFH7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 198 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH7N60
HFH7N60 Datasheet (PDF)
1.1. hfh7n60.pdf 
Size:616K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance
5.1. hfh7n80.pdf Size:253K _update_mosfet
Mar 2010 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 1.55 HFH7N80 ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) Exte
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