HFH7N60 Todos los transistores

 

HFH7N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFH7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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HFH7N60 datasheet

 ..1. Size:616K  shantou-huashan
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HFH7N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance

 9.1. Size:253K  semihow
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HFH7N60

Mar 2010 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 1.55 HFH7N80 ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ ) Exte

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