Справочник MOSFET. HFH7N60

 

HFH7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFH7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HFH7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  shantou-huashan
 hfh7n60.pdf pdf_icon

HFH7N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance

 9.1. Size:253K  semihow
 hfh7n80.pdf pdf_icon

HFH7N60

Mar 2010BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 1.55 HFH7N80ID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) Exte

Другие MOSFET... HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , AO3407 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 , HFP30N06 , HFP45N06 .

History: IRFL210PBF | IRF6811S | TPC6004 | SI4N65F | IPU33CN10N | STB60NF10T4 | FM400HB1D5C

 

 
Back to Top

 


 
.