HFP17N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFP17N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 55 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 31 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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HFP17N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:1178K shantou-huashan
hfp17n10.pdf

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8.1. Size:176K vishay
irfp17n50l sihfp17n50l.pdf

IRFP17N50L, SiHFP17N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the NeedVDS (V) 500AvailableFor External Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Low Gate Charge Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANTRequirementQgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedQgd (nC) 59Rugg

8.2. Size:181K vishay
irfp17n50l irfp17n50lpbf sihfp17n50l.pdf

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Liste

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