Справочник MOSFET. HFP17N10

 

HFP17N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP17N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HFP17N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP17N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1178K  shantou-huashan
hfp17n10.pdfpdf_icon

HFP17N10

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP17N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

 8.1. Size:176K  vishay
irfp17n50l sihfp17n50l.pdfpdf_icon

HFP17N10

IRFP17N50L, SiHFP17N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the NeedVDS (V) 500AvailableFor External Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Low Gate Charge Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANTRequirementQgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedQgd (nC) 59Rugg

 8.2. Size:181K  vishay
irfp17n50l irfp17n50lpbf sihfp17n50l.pdfpdf_icon

HFP17N10

IRFP17N50L, SiHFP17N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the NeedVDS (V) 500AvailableFor External Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Low Gate Charge Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANTRequirementQgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedQgd (nC) 59Rugg

Другие MOSFET... HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , IRFZ44N , HFP2N60 , HFP30N06 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 .

History: APT10021JLL | INK0103AU1 | CS27P06

 

 
Back to Top

 


 
.