HFP30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HFP30N06 MOSFET
HFP30N06 Datasheet (PDF)
hfp30n06.pdf

HFP30N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a low gate charge with superior switching performance, and rugged avalanche ch
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History: SIHFP460 | BLM3401 | TK75J04K3Z | TPC8082 | IRFS3806 | SFW9640
History: SIHFP460 | BLM3401 | TK75J04K3Z | TPC8082 | IRFS3806 | SFW9640



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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