HFP30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HFP30N06 MOSFET
HFP30N06 Datasheet (PDF)
hfp30n06.pdf

HFP30N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a low gate charge with superior switching performance, and rugged avalanche ch
Otros transistores... HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 , IRF740 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 .
History: STD5NK52ZD | IRFZ46NPBF | UTT25P10L-TQ2-T | SJMN380R70D | 2SK3318 | OSG60R190DTF | OSG60R180KF
History: STD5NK52ZD | IRFZ46NPBF | UTT25P10L-TQ2-T | SJMN380R70D | 2SK3318 | OSG60R190DTF | OSG60R180KF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008