HFP30N06 Todos los transistores

 

HFP30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 380 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP30N06

 

 

HFP30N06 Datasheet (PDF)

1.1. hfp30n06.pdf Size:222K _shantou-huashan

HFP30N06
HFP30N06

HFP30N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a low gate charge with superior switching performance, and rugged avalanche ch

Otros transistores... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

Back to Top

 


HFP30N06
  HFP30N06
  HFP30N06
  HFP30N06
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |

 

 

Back to Top