HFP30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 380 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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HFP30N06 Datasheet (PDF)
1.1. hfp30n06.pdf 
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HFP30N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a low gate charge with superior switching performance, and rugged avalanche ch
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