HFP30N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFP30N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HFP30N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP30N06 даташит

 ..1. Size:222K  shantou-huashan
 hfp30n06.pdf pdf_icon

HFP30N06

HFP30N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a low gate charge with superior switching performance, and rugged avalanche ch

Другие IGBT... HFH20N50, HFH7N60, HFH9N90, HFP13N10, HFP13N50, HFP15N06, HFP17N10, HFP2N60, IRF740, HFP45N06, HFP4N60, HFP4N65, HFP50N06, HFP50N06V, HFP5N80, HFP60N06, HFP630