HFP50N06 Todos los transistores

 

HFP50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 185 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.023 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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HFP50N06 Datasheet (PDF)

1.1. hfp50n06.pdf Size:292K _shantou-huashan

HFP50N06
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N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06 █ APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~175℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipation ⋯

1.2. hfp50n06v.pdf Size:617K _shantou-huashan

HFP50N06
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 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-220 • Servo motor control. • DC/DC converters • Low Power Switching mode power appliances. • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 50A, 60V(See Note), RDS(on) <28mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche

 

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