HFP50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFP50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HFP50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP50N06 даташит

 ..1. Size:292K  shantou-huashan
 hfp50n06.pdf pdf_icon

HFP50N06

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 175 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipation

 0.1. Size:617K  shantou-huashan
 hfp50n06v.pdf pdf_icon

HFP50N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. DC/DC converters Low Power Switching mode power appliances. Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 60V(See Note), RDS(on)

 0.2. Size:368K  semihow
 hfp50n06a hfs50n06a.pdf pdf_icon

HFP50N06

Oct 2016 HFP50N06A / HFS50N06A 60V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 50 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 18 100% Avalanche Tested Qg, Typ 27 nC RoHS Compliant HFP50N06A HFS50N06A Symbol TO-220 TO-220F S S

Другие IGBT... HFP13N50, HFP15N06, HFP17N10, HFP2N60, HFP30N06, HFP45N06, HFP4N60, HFP4N65, IRF540, HFP50N06V, HFP5N80, HFP60N06, HFP630, HFP640, HFP70N03V, HFP70N06, HFP730