HFP60N06 Todos los transistores

 

HFP60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP60N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 237 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0115 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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HFP60N06 Datasheet (PDF)

1.1. hfp60n06.pdf Size:757K _shantou-huashan

HFP60N06
HFP60N06

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP60N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-220 • Servo motor control. • Power MOSFET gate drivers. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 60A, 60V(See Note), RDS(on) <11.5mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • M

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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