HFP60N06 Todos los transistores

 

HFP60N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP60N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO220

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HFP60N06 datasheet

 ..1. Size:757K  shantou-huashan
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HFP60N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP60N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 60A, 60V(See Note), RDS(on)

Otros transistores... HFP2N60 , HFP30N06 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , IRFZ44 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C .

History: IRFBF20S | IRFBF20L

 

 

 


 
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