HFP60N06 Todos los transistores

 

HFP60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP60N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  shantou-huashan
 hfp60n06.pdf pdf_icon

HFP60N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP60N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 60A, 60V(See Note), RDS(on)

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History: IRF643 | IRF3703 | MDF3752TH | SVF12N65CFQ | IRCZ445 | HUF75329S3ST | 2SJ464

 

 
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