Справочник MOSFET. HFP60N06

 

HFP60N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HFP60N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 237 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP60N06

 

 

HFP60N06 Datasheet (PDF)

1.1. hfp60n06.pdf Size:757K _shantou-huashan

HFP60N06
HFP60N06

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP60N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-220 • Servo motor control. • Power MOSFET gate drivers. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 60A, 60V(See Note), RDS(on) <11.5mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • M

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top