HFP60N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFP60N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 237 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO220
HFP60N06 Datasheet (PDF)
1.1. hfp60n06.pdf 
Size:757K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP60N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-220 • Servo motor control. • Power MOSFET gate drivers. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 60A, 60V(See Note), RDS(on) <11.5mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • M
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |