HFP70N06 Todos los transistores

 

HFP70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP70N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  shantou-huashan
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HFP70N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 70A, 60V(See Note), RDS(on)

 7.1. Size:692K  shantou-huashan
 hfp70n03v.pdf pdf_icon

HFP70N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N03VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

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History: HYG065N07NS1U | SWF12N60D | WMK26N60C4 | IRFB4321 | VBZMB18N50

 

 
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