Справочник MOSFET. HFP70N06

 

HFP70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HFP70N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  shantou-huashan
 hfp70n06.pdf pdf_icon

HFP70N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 70A, 60V(See Note), RDS(on)

 7.1. Size:692K  shantou-huashan
 hfp70n03v.pdf pdf_icon

HFP70N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N03VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , IRF640N , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 .

History: LS4118 | WML05N100C2 | IXFA130N10T | SWF12N60D | SSRF90N06 | WMK26N60C4 | VBZMB18N50

 

 
Back to Top

 


 
.