HFP70N06 - описание и поиск аналогов

 

HFP70N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP70N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP70N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP70N06 даташит

 ..1. Size:849K  shantou-huashan
 hfp70n06.pdf pdf_icon

HFP70N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 70A, 60V(See Note), RDS(on)

 7.1. Size:692K  shantou-huashan
 hfp70n03v.pdf pdf_icon

HFP70N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , IRFB4110 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 .

History: LSC65R180GT | WMLL020N10HG4 | WM02P160R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.