HFP70N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HFP70N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HFP70N06
HFP70N06 Datasheet (PDF)
hfp70n06.pdf

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 70A, 60V(See Note), RDS(on)
hfp70n03v.pdf

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N03VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)
Другие MOSFET... HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , IRF640N , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 .
History: 2N6660CSM4 | 2SJ139 | IRH7130 | SGSP482 | MPG08N68S | 2N6661-2
History: 2N6660CSM4 | 2SJ139 | IRH7130 | SGSP482 | MPG08N68S | 2N6661-2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394