HFP740 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFP740
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP740

HFP740 Datasheet (PDF)

..1. Size:319K shantou-huashan
hfp740.pdf

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP740 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited f

..2. Size:294K semihow
hfp740.pdf

Sep 2011BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFP740ID = 10.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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Liste

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