HFP740 - описание и поиск аналогов

 

HFP740. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP740

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP740

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP740 даташит

 ..1. Size:319K  shantou-huashan
 hfp740.pdf pdf_icon

HFP740

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP740 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited f

 ..2. Size:294K  semihow
 hfp740.pdf pdf_icon

HFP740

Sep 2011 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFP740 ID = 10.5 A 400V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Другие MOSFET... HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , IRFP260N , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 .

History: 2SK2123 | SM6129NSU | SM7003NSF | XP152A11E5MR | 2SK3572-Z | FTA04N65 | MTP15N05L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.