Справочник MOSFET. HFP740

 

HFP740 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP740
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP740 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  shantou-huashan
 hfp740.pdf pdf_icon

HFP740

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP740 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited f

 ..2. Size:294K  semihow
 hfp740.pdf pdf_icon

HFP740

Sep 2011BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFP740ID = 10.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SPA07N60C2 | HFP5N80 | SP8601 | HFP13N60U | HFP6N65U

 

 
Back to Top

 


 
.