HFP75N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP75N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: TO220
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HFP75N08 datasheet
hfp75n08.pdf
N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N08 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 175 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipation
hfp75n80c.pdf
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N80C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 75A, 80V(See Note), RDS(on)
Otros transistores... HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , AO3400 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 .
History: MCU80N06A
History: MCU80N06A
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Liste
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