HFP75N08 - описание и поиск аналогов

 

HFP75N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP75N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP75N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP75N08 даташит

 ..1. Size:270K  shantou-huashan
 hfp75n08.pdf pdf_icon

HFP75N08

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N08 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 175 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipation

 8.1. Size:1339K  shantou-huashan
 hfp75n80c.pdf pdf_icon

HFP75N08

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N80C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 75A, 80V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , AO3400 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.