Справочник MOSFET. HFP75N08

 

HFP75N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP75N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HFP75N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP75N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  shantou-huashan
 hfp75n08.pdf pdf_icon

HFP75N08

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N08 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~1751G Tj Operating Junction Temperature 1502D PD Allowable Power Dissipation

 8.1. Size:1339K  shantou-huashan
 hfp75n80c.pdf pdf_icon

HFP75N08

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N80CN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 75A, 80V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , IRF3710 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 .

History: RFD3N08LSM | RJK0302DPC

 

 
Back to Top

 


 
.