HFP7N80 Todos los transistores

 

HFP7N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP7N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  shantou-huashan
 hfp7n80.pdf pdf_icon

HFP7N80

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFP7N80 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

 9.1. Size:652K  shantou-huashan
 hfp7n60.pdf pdf_icon

HFP7N80

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFP7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

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History: 2N6661-2 | 2SJ139 | SGSP482 | IRH7130 | MPG08N68S | 2N6660CSM4

 

 
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