HFP7N80 - описание и поиск аналогов

 

HFP7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP7N80 даташит

 ..1. Size:514K  shantou-huashan
 hfp7n80.pdf pdf_icon

HFP7N80

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFP7N80 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

 9.1. Size:652K  shantou-huashan
 hfp7n60.pdf pdf_icon

HFP7N80

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFP7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

Другие MOSFET... HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , 10N60 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 .

History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.