HFP840 Todos los transistores

 

HFP840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP840
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  shantou-huashan
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HFP840

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP840 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 these power MOSFETs is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. And DC-DC&DC-AC Converters for Telecom, Industrial and Consumer Environment 1- G 2-D

 ..2. Size:273K  semihow
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HFP840

Sep 2011BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFP840ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower

Otros transistores... HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , IRFP250N , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR .

History: AON6454A | MDP5N50ZTH | KP511B | HCD65R2K2 | AP9685GM-HF | AOD4126 | AP4532GM-HF

 

 
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