HFP840 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFP840
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220
HFP840 Datasheet (PDF)
hfp840.pdf
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP840 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 these power MOSFETs is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. And DC-DC&DC-AC Converters for Telecom, Industrial and Consumer Environment 1- G 2-D
hfp840.pdf
Sep 2011BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFP840ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
