HFR1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFR1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFR1N60

HFR1N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:229K shantou-huashan
hfr1n60.pdf

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFR1N60 APPLICATIONSL TO-92 high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 Tj Operating Junction Temperature 150 1G 2D PD Allowable Power DissipationTc=25

0.1. Size:244K vishay
irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

0.2. Size:269K vishay
irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf