HFR1N60 - описание и поиск аналогов

 

HFR1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFR1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для HFR1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFR1N60 даташит

 ..1. Size:229K  shantou-huashan
 hfr1n60.pdf pdf_icon

HFR1N60

 0.1. Size:244K  vishay
 irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

HFR1N60

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

 0.2. Size:269K  vishay
 irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

HFR1N60

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

Другие MOSFET... HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , P55NF06 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 .

History: SMK0870F | AGM405F | 2SK1228 | NTD5865NL-1G | P120NF10 | FCP099N65S3 | 2SK3705

 

 

 

 

↑ Back to Top
.