HFU70N03V Todos los transistores

 

HFU70N03V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFU70N03V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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HFU70N03V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  shantou-huashan
 hfu70n03v.pdf pdf_icon

HFU70N03V

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-251 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

Otros transistores... HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , AON7408 , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F .

History: SI4936ADY | TPC8013-H | SI4848ADY | 9N80A | KIA3308A-252 | BL30N60-W | SPE65R360G

 

 
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