HFU70N03V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFU70N03V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0066 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
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HFU70N03V Datasheet (PDF)
1.1. hfu70n03v.pdf 
Size:691K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-251 • Portable Equipment. • LCD Display Inverter. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 50A, 30V(See Note), RDS(on) <6.6mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • Minimize
Otros transistores... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .
