HFU70N03V Todos los transistores

 

HFU70N03V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFU70N03V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: TO251

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HFU70N03V datasheet

 ..1. Size:691K  shantou-huashan
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HFU70N03V

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-251 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

Otros transistores... HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , IRFP250N , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F .

History: NDT90N03 | BSR302N | 2SJ319L | AFN4172WSS8

 

 

 

 

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