HFU70N03V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFU70N03V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0066 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
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HFU70N03V Datasheet (PDF)
1.1. hfu70n03v.pdf 
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-251 • Portable Equipment. • LCD Display Inverter. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 50A, 30V(See Note), RDS(on) <6.6mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • Minimize
Otros transistores... HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , IRF730 , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F .
