HFU70N03V Todos los transistores

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HFU70N03V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFU70N03V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0066 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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HFU70N03V Datasheet (PDF)

1.1. hfu70n03v.pdf Size:691K _shantou-huashan

HFU70N03V
HFU70N03V

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-251 • Portable Equipment. • LCD Display Inverter. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 50A, 30V(See Note), RDS(on) <6.6mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • Minimize

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