Справочник MOSFET. HFU70N03V

 

HFU70N03V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFU70N03V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HFU70N03V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFU70N03V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  shantou-huashan
 hfu70n03v.pdf pdf_icon

HFU70N03V

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-251 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , AON7408 , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F .

History: WMO14N65C4 | NTMS4939NR2G

 

 
Back to Top

 


 
.