HFU70N03V - описание и поиск аналогов

 

HFU70N03V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFU70N03V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HFU70N03V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFU70N03V даташит

 ..1. Size:691K  shantou-huashan
 hfu70n03v.pdf pdf_icon

HFU70N03V

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-251 Portable Equipment. LCD Display Inverter. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 30V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , IRFP250N , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F .

History: CS8N80A8H | PJM3401PSA | AP4532GM-HF | SMK0825FZ | BSR302N | APM2605C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.