SVF7N65F Todos los transistores

 

SVF7N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF7N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF7N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  silan
 svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf pdf_icon

SVF7N65F

SVF7N65T/F/S 7A650V N 2 SVF7N65T/F/S N MOS 1 F-CellTM VDMOS 31. 2. 3.

 ..2. Size:575K  silan
 svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf pdf_icon

SVF7N65F

SVF7N65T/F/S 7A650V N SVF7N65T/F/S N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 0.1. Size:623K  silan
 svf7n65f-t.pdf pdf_icon

SVF7N65F

SVF7N65T/F_Datasheet 7A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 7.1. Size:321K  silan
 svf7n65cfjh.pdf pdf_icon

SVF7N65F

SVF7N65CFJH 7A650V N 2SVF7N65CFJH N MOS F-CellTM VDMOS 13

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