SVF7N65F - описание и поиск аналогов

 

SVF7N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF7N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF7N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF7N65F даташит

 ..1. Size:407K  silan
 svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf pdf_icon

SVF7N65F

 ..2. Size:575K  silan
 svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf pdf_icon

SVF7N65F

 0.1. Size:623K  silan
 svf7n65f-t.pdf pdf_icon

SVF7N65F

SVF7N65T/F_Datasheet 7A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 7.1. Size:321K  silan
 svf7n65cfjh.pdf pdf_icon

SVF7N65F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , 4435 , AO3405 , AO3407G , AO3701 , AO4420A , AO4433 , AO4456 , AO4458 , AO4474 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.