AO3701 Todos los transistores

 

AO3701 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3701

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT23-5

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AO3701 datasheet

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AO3701

AO3701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features VDS (V) = -20V The AO3701 uses advanced trench technology to provide ID = -3A (VGS = -10V) excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is RDS(ON)

Otros transistores... STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , K4145 , AO4420A , AO4433 , AO4456 , AO4458 , AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 .

History: JCS4N60CB | 2SK3496-01MR | SM4804DSK | LPM2301B3F | SM7340EHKP | SM2323PSA

 

 

 

 

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