AO3701 Todos los transistores

 

AO3701 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3701
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-5
 

 Búsqueda de reemplazo de AO3701 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AO3701 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  aosemi
 ao3701.pdf pdf_icon

AO3701

AO3701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesVDS (V) = -20VThe AO3701 uses advanced trench technology to provide ID = -3A (VGS = -10V)excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is RDS(ON)

Otros transistores... STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , IRFB3607 , AO4420A , AO4433 , AO4456 , AO4458 , AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 .

History: IRF7703PBF | SIF10N40C | NCE4618SP | APT1001RSVFR | SSS1206H | IRF7701GPBF | IRFBC20LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.