AO3701 Todos los transistores

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AO3701 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3701

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.14 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 6.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.08 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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AO3701 Datasheet (PDF)

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AO3701
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AO3701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features VDS (V) = -20V The AO3701 uses advanced trench technology to provide ID = -3A (VGS = -10V) excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is RDS(ON) < 80mΩ (VGS = -10V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -4.5V) bl

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