AO3701 - аналоги и даташиты транзистора

 

AO3701 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AO3701
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-5
 

 Аналог (замена) для AO3701

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3701 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  aosemi
 ao3701.pdf pdf_icon

AO3701

AO3701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesVDS (V) = -20VThe AO3701 uses advanced trench technology to provide ID = -3A (VGS = -10V)excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is RDS(ON)

Другие MOSFET... STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , IRFB3607 , AO4420A , AO4433 , AO4456 , AO4458 , AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 .

History: APT9F100B | SVF7N65T | ELM16400EA | NTMFS5830NLT1G | IRFI064 | HY10P10D | WSD30L120DN56

 

 
Back to Top

 


 
.