AO3701 - описание и поиск аналогов

 

AO3701. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO3701

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT23-5

Аналог (замена) для AO3701

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3701 даташит

 ..1. Size:127K  aosemi
 ao3701.pdf pdf_icon

AO3701

AO3701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features VDS (V) = -20V The AO3701 uses advanced trench technology to provide ID = -3A (VGS = -10V) excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is RDS(ON)

Другие MOSFET... STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , K4145 , AO4420A , AO4433 , AO4456 , AO4458 , AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 .

History: WMK10N100C2 | PHD78NQ03L | 2SK2223-01 | STD4NK50Z | STD30NF06T4 | 7N80G-TA3-T | SI2307A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.