AO8842 Todos los transistores

 

AO8842 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO8842
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AO8842 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  aosemi
 ao8842.pdf pdf_icon

AO8842

AO8842Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO8842 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 7 A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE2008E | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | SI2333DS-T1-GE3 | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
Back to Top

 


 
.