AO8842 Todos los transistores

 

AO8842 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO8842

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

 Búsqueda de reemplazo de AO8842 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AO8842 datasheet

 ..1. Size:118K  aosemi
 ao8842.pdf pdf_icon

AO8842

AO8842 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO8842 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 7 A (VGS = 10V) operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Otros transistores... AO4916 , AO4916L , AO4926 , AO4928 , AO6806 , AO8803 , AO8806 , AO8816 , 5N60 , AOD400 , AOD402 , AOD404 , AOD406 , AOD408 , AOD410 , AOB10N60L , AOB11S60L .

History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.