AO8842 Todos los transistores

 

AO8842 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO8842
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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AO8842 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  aosemi
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AO8842

AO8842Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO8842 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 7 A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Otros transistores... AO4916 , AO4916L , AO4926 , AO4928 , AO6806 , AO8803 , AO8806 , AO8816 , 13N50 , AOD400 , AOD402 , AOD404 , AOD406 , AOD408 , AOD410 , AOB10N60L , AOB11S60L .

History: NCEP10N85AG | HCD65R2K2 | PSMN7R0-30MLC | SSM9922GEO | HSP6016 | WST6003 | TPS1120

 

 
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